発明の詳細な説明】【技術分野】【０００１】本発明は、ガラス基板とその表

発明の詳細な説明】【技術分野】【０００１】本発明は、ガラス基板とその表面に形成された無電解銅めっき膜との密着性の改善方法に関する。【背景技術】【０００２】ガラス基板の表面に無電解銅めっき膜を形成してなる無電解銅めっき構造体は、高周波用電子部品などに利用されており、この高周波用電子部品に利用される無電解銅めっき構造体には、無電解銅めっき膜の高周波導電性が高く、かつガラス基板との密着性が高いことが特に要求される。【０００３】従来より、この種の銅めっき構造体における無電解銅めっき膜とガラス基板との密着性を改善する手段としては、ガラス基板の表面に微細な凹凸を形成し、当該ガラス基板の凹部内に無電解銅めっき膜の一部を埋め込んで、そのアンカー効果により密着性を高める方法が一般的であるが、表面の凹凸が小さくても高い密着性を得る方法として、無電解銅めっき浴中に密着性劣化の原因となる水素の発生を抑制する効果を有する成分を添加する方法などが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。【特許文献１】特開２００３−１３２４７号公報【発明の開示】【発明が解決しようとする課題】【０００４】しかしながら、アンカー効果により無電解銅めっき膜とガラス基板との密着性を高める方法は、無電解銅めっき膜の高周波導電性が低下するので、高性能の高周波用電子部品の製造には適しない。【０００５】一方、特許文献１に記載の無電解銅めっき浴中に水素の発生を抑制する効果を有する成分を添加する方法は、無電解銅めっき膜のフクレ、即ちガラス基板表面からの無電解銅めっき膜の浮き上がりは防止できるものの、実用上十分な密着性が得られない。【０００６】本発明は、かかる従来技術の不備を解決するためになされたものであり、その目的は、高周波導電性を犠牲にすることなくガラス基板と無電解銅めっき膜との密着性を高める方法を提供することにある。【課題を解決するための手段】【０００７】本発明は、前記の課題を解決するため、表面が平滑に形成されたガラス基板の少なくとも片面に無電解銅めっき膜を形成した後、前記ガラス基板の電位に対して前記無電解銅めっき膜の電位が相対的にプラスとなるように電圧を印加すると共に、前記ガラス基板を加熱することを特徴とする。【０００８】このように、ガラス基板と無電解銅めっき膜との間に、ガラス基板の電位に対して無電解銅めっき膜の電位が相対的にプラスとなるように電圧を印加しかつガラス基板を加熱すると、アンカー効果によらずにガラス基板に対する無電解銅めっき膜の密着力を高めることができ、無電解銅めっき膜の高周波導電性を改善することができる。電圧の印加とガラス基板の加熱によってなぜガラス基板に対する無電解銅めっき膜の密着力が高められるかについては、未だ充分に理論的な解析が行われていないが、今のところ、以下の理由によるものと推定される。即ち、ガラス基板と無電解銅めっき膜との間に、ガラス基板の電位に対して無電解銅めっき膜の電位が相対的にプラスとなるように電圧を印加しかつガラス基板を加熱すると、ガラス基板内に存在するＮａイオンがマイナス電極側に移動し、ガラス基板内に存在するＯ２イオンがプラス電極側に移動するので、ガラス基板の銅めっき膜と接する面がマイナスに帯電する。その結果、ガラス基板と無電解銅めっき膜との間に静電気による強い電界が作用し、触媒或いは銅めっき膜中の銅がガラス基板に静電的に吸着される。これにより、表面が平滑に形成されたガラス基板に対しても、密着性の高い無電解銅めっき膜が形成される。【０００９】また、本発明は、前記構成の無電解銅めっき膜の密着性改善方法において、前記ガラス基板と前記無電解銅めっき膜との間の電位差を２００Ｖ〜１０００Ｖとすることを特徴とする。【００１０】実験により、各電極間の印加電圧をこの範囲の値にすると、ガラス基板に対する無電解銅めっき膜の密着力が高められることが確認された。【００１１】また、本発明は、前記構成の無電解銅めっき膜の密着性改善方法において、前記ガラス基板の加熱温度を２００℃〜４００℃とすることを特徴とする。【００１２】実験により、電解銅めっき膜の加熱温度をこの範囲の値にすると、ガラス基板に対する無電解銅めっき膜の密着力が高められることが確認された。２００℃未満では、Ｎａイオンの拡散速度が低く、十分な密着力が得られない。また、４００℃を超えると、ガラスが変形してくるため、ガラス転移温度以下にする必要があり、４００℃以下であれば安定した基板状態が得られる。【００１３】また、本発明は、前記構成の無電解銅めっき膜の密着性改善方法において、前記電圧の印加及び前記ガラス基板の加熱を窒素ガス雰囲気中で行うことを特徴とする。

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发明详述 技术领域 [0001] 本发明涉及形成于玻璃基板和在其表面上的化学镀铜膜之间的粘附性的改进方法。 背景技术 [0002] 通过形成在玻璃基板的无电镀铜结构的表面上形成无电镀铜膜而得到利用诸如高频用途电子部件，被用于在高频电子元件所述无电镀铜结构中，无电解镀铜膜的高频电导率，并特别要求高粘附性的玻璃基板。 [0003] 传统上，作为用于提高化学镀铜膜和在这种类型的镀铜结构的玻璃基板之间的粘附，以形成微细的凹凸的玻璃基板的表面上，在玻璃基板的所述凹部上嵌入内的无电解镀铜膜，通过锚定效应，以改善粘附性的方法的一部分通常，作为用于获得甚至具有小的表面凹凸的密合性高的方法，无电镀铜浴添加具有抑制氢的产生，其中已经提出了使粘着性降低的效果的部件的方法（例如，参见专利文献1）。 [专利文献1]日本特开2003-13247 发明内容 本发明的课题，本发明要解决的问题] [0004] 然而，一种方法来通过锚固效果提高化学镀铜膜和玻璃基板之间的粘附性由于化学镀铜膜的高频导电性降低，不适合高性能的高频用途电子部件的制造。 [0005] 同时，添加具有抑制在无电解镀铜浴产生氢气的效果的成分的方法，在专利文献1中，无电解镀铜膜起泡，从玻璃基板表面即电解铜电镀膜所描述虽然电梯被阻止，它不能获得实用上充分的粘接性。 [0006] 本发明是为了解决现有技术的缺陷，并且其目的是提高玻璃基片和电解铜电镀膜之间的粘附性，而不会牺牲高频电导率它是提供一种方法。 用于解决问题的方法] [0007] 本发明用于解决上述的问题，后表面具有形成在玻璃基板的至少一个表面，该表面被平滑地形成，在玻璃基板上的电解镀铜膜与无电镀铜膜的电位的相对电势施加电压，使得相对正，其特征在于通过加热所述玻璃基板。 [0008] 因此，玻璃基板和电解铜电镀膜，无电解镀铜膜的相对于所述玻璃基板的电位通过施加电压，以使相对正和加热该玻璃基板的电势之间，无论该锚定效应，可以提高电解镀铜膜对玻璃基板的粘附性，所以能够提高电解镀铜膜的高频电导率。为了确定化学镀铜膜的密合性提高，因为通过加热和施加的电压的玻璃基板，但还是不进行充分的理论分析，到目前为止，由于以下原因在玻璃基板要估算的东西。即，玻璃基板和电解铜电镀膜，无电解镀铜膜与通过施加电压，以使相对正和加热该玻璃基板，该玻璃相对于玻璃基板的电位的电位之间Na离子在衬底本移动到负电极侧，由于O2离子存在于所述玻璃基板的正电极侧上移动时，在与所述玻璃基板的镀铜覆膜接触的表面带负电。其结果是，作用所造成的玻璃基板和无电解镀铜膜，铜催化剂或在镀铜膜之间的静电强电场被静电吸引到玻璃基板。因此，即使对于在玻璃基板的表面被平滑地形成高粘附无电解镀铜膜形成的。 [0009] 此外，本发明在密合性提高，所述结构的无电镀铜膜，所述玻璃基板的化学镀铜膜之间的电位差，其特征在于一个200V〜1000V的方法。 [0010] 当在此范围内施加到一个值的电极之间的电压时，无电解镀铜膜对玻璃基板的密合性增加的实验中得到证实。 [0011] 此外，本发明是在所述结构中的无电解镀铜膜，其特征在于在密合性提高的方法，所述玻璃基板和200℃至400℃的加热温度.. [0012] 实验，当镀膜到该范围的值电解铜的加热温度，无电解镀铜膜对玻璃基板的密合性增加得到证实。小于200℃，Na离子的低扩散速率，不能获得足够的粘合力。如果超过400℃，则玻璃自带变形，必须低于玻璃化转变温度，可以如果400℃或更小能够获得稳定的基板状态。 [0013] 此外，本发明在密合性提高的结构的无电解镀铜膜，并执行所施加的加热和电压的在氮气气氛中在玻璃基板的方法。

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发明的详细描述 [技术领域] 【0001】 本发明涉及一种改善玻璃基板及其表面形成的无电镀铜膜之间的附着力的方法。 [背景技术] 【0002】 无电镀铜结构由在玻璃基板表面形成无电镀铜膜，用于高频电子元件，无电镀铜结构用于高频电子元件，无电镀铜膜的高频导电性高，特别需要玻璃基板之间的高附着力。 【0003】 通常，作为提高这种铜电镀结构中无电镀铜膜和玻璃基板之间的附着力的方法，在玻璃基板表面形成细不规则，将一些无电镀铜膜嵌入玻璃基板的凹槽中，虽然通过锚定效应提高附着力的方法很常见，但作为获得高附着力的方法，即使表面的不均匀性很小，提出了添加具有抑制氢生成效果的成分的方法，该成分在无电镀铜槽中导致粘附降解（例如，参见专利文献1）。 )。 [专利文献1] JP 2003-13247 JP [发明披露] [发明试图解决的问题] 【0004】 然而，通过锚定效应提高无电镀铜膜和玻璃基板之间的附着力的方法，由于无电镀铜膜的高频导电性降低，不适合生产高性能高频电子元件。 【0005】 另一方面，在专利文献1中描述的无电镀铜槽中添加具有抑制氢气生成效果的组分的方法，无电镀铜膜的浮片，即从玻璃基板表面升起无电镀铜膜，可以防止，实际无法获得足够的附着力。 【0006】 本发明旨在解决现有技术的缺陷，其目的就是提供一种在不牺牲高频导电性的情况下提高玻璃基板和无电镀铜膜之间的附着力的方法。 [解决问题的方法] 【0007】 本发明为了解决上述问题，在表面在玻璃基板的至少一个表面上形成无电镀膜后，相对于玻璃基板的电位，无电镀铜膜的电位相对加号，并施加电压，其特征在于加热玻璃基板。 【0008】 因此，在玻璃基板和无电镀铜膜之间，当施加电压和玻璃基板时，无电镀铜膜相对于玻璃基板电位的电位相对为正，无论锚定效应如何，都可以提高无电镀铜膜对玻璃基板的附着力，从而提高无电镀铜膜的高频导电性。关于为什么通过施加电压和加热玻璃基板提高无电镀铜膜对玻璃基板的附着力，尚未进行充分的理论分析，目前估计是由于以下原因。也就是说，在玻璃基板和无电镀铜膜之间，当施加电压和加热玻璃基板时，无电镀铜膜相对于玻璃基板电位的电位相对为正，玻璃基板中存在的Na离子移动到负电极侧，由于玻璃基板中存在的O2离子移动到正极侧，与玻璃基板的铜电镀膜接触的表面被充电为负。因此，在玻璃基板和无电镀铜膜之间，由于静电而产生强电场，催化剂或铜电镀膜中的铜被静电吸附到玻璃基板上。因此，即使表面形成平滑的玻璃基板，也形成高附着力的无电镀铜膜。 【0009】 此外，本发明在无电镀膜的粘附性改善方法中，所述玻璃基板和无电镀铜膜之间的电位差为200V~1000V。 【0010】 实验证实，当每个电极之间的施加电压达到此范围的值时，无电镀铜膜对玻璃基板的附着力得到增强。 【0011】 此外，本发明在无电镀膜的粘附性改善方法中，所述玻璃基板的加热温度为200°C~400°C。 【0012】 实验证实，电解铜电镀膜的加热温度在此范围内，无电镀铜膜对玻璃基板的附着力得到提高。在200°C以下时，Na离子的扩散速率低，无法获得足够的附着力。此外，当超过400°C时，由于玻璃变形，有必要低于玻璃过渡温度，如果低于400°C，则获得稳定的基板状态。 【0013】 此外，本发明在无电镀膜的粘附性改善方法中，其特征在于在氮气气氛中施加电压和加热玻璃基板。

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本发明的详细说明 【技术领域】 【0001】 本发明涉及一种改进玻璃基板与其表面形成的无线电解铜镀膜的粘合性的方法。 【背景技术】 【0002】 在玻璃基板表面形成无电解铜镀膜的无电解铜镀层构造体，被高频用电子元件等利用，被这个高频用电子元件利用的无线电解铜镀层构造体，无电解铜镀膜的高频导电性高，且与玻璃基板的粘着性高特别要求高。 【0003】 从以前开始，作为改善这种铜镀层构造体的无电解铜镀膜和玻璃基板的粘着性的手段，在玻璃基板表面形成微小的凹凸，在该玻璃基板的凹部内埋入无电解铜镀膜的一部分，根据那个锚效果提高粘着性。通常，作为获得表面的凹凸即使小也能够高的贴紧性的方法，提出了添加有抑制在无电解铜镀金浴中成为贴紧性劣化的原因的氢的发生的效果的成分的方法等(例如，参照专利文献1)。 专利文献1是特开2003-13247号公报。 【发明的披露】 【发明要解决的课题】 【0004】 然而，通过锁定效果，提高无电解铜镀膜与玻璃基板的粘着性的方法会降低无电解铜镀膜的高频导电性，所以不适用于高性能的高频电子部件的制造。 【0005】 另一方面，在专利文献1记载的无电解镀铜浴中添加具有抑制氢发生的效果的成分的方法，可以防止无电解铜镀膜的浮起，即来自玻璃基板表面的无电解铜镀膜的浮起，但是在实用上不能得到充分的密切性。 【0006】 本发明是为了解决现有技术的不完整，其目的在于提供一种不牺牲高频导电性的提高玻璃基板与无电解铜镀膜的粘合性的方法。 【解决课题的手段】 【0007】 本发明为了解决上述课题，在表面平滑形成的玻璃基板的至少一面形成了无电解铜镀膜之后，对上述玻璃基板的电位施加电压，使上述无电解铜镀膜的电位相对地为正，同时对上述玻璃基板的电位施加电压。板子加热是其特征。 【0008】 如上所述，在玻璃基板与无电解铜镀膜之间，对玻璃基板的电位施加电压，使无电解铜镀膜的电位相对为正，加热玻璃基板后，无电解铜镀膜对玻璃基板的粘着力提高可改善无电解铜镀膜的高频导电性。关于电压的施加和玻璃基板的加热为何对玻璃基板提高无线电解镀铜膜的粘着力，至今还充分地理论性的解析没被进行,不过，现在，根据以下的理由被推定。即，在玻璃基板和无电解铜镀膜之间，对玻璃基板的电位施加电压，使无电解铜镀膜的电位相对成为正，加热玻璃基板的话，存在于玻璃基板内的Na离子向负电极侧移动，存在于玻璃基板内因为在O2离子向正电极侧移动，与玻璃基板的铜镀膜接触的面向负带电。其结果，在玻璃基板与无电解铜镀膜之间，由静电引起的强电场起作用，触媒或铜镀膜中的铜被静电地吸附在玻璃基板上。由此，对于表面平滑形成的玻璃基板，也形成粘着性高的无线电解铜镀膜。 【0009】 另外，本发明的特征在于，在上述构成的无线电解镀膜的粘着性改善方法中，将上述玻璃基板和上述无线电解铜镀膜之间的电位差设为200V～1000V。 【0010】 通过实验，确认了如果将各电极间的施加电压设为该范围的值，对玻璃基板的无电解铜镀膜的粘着力就会提高。 【0011】 另外，本发明是上述结构的

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