【特許請求の範囲】【請求項１】表面が平滑に形成されたガラス基板の少なく

【特許請求の範囲】【請求項１】表面が平滑に形成されたガラス基板の少なくとも片面に無電解銅めっき膜を形成した後、前記ガラス基板の電位に対して前記無電解銅めっき膜の電位が相対的にプラスとなるように電圧を印加すると共に、前記ガラス基板を加熱することを特徴とする無電解銅めっき膜の密着性改善方法。【請求項２】前記ガラス基板と前記無電解銅めっき膜との間の電位差を２００Ｖ〜１０００Ｖとすることを特徴とする請求項１に記載の無電解銅めっき膜の密着性改善方法。【請求項３】前記ガラス基板の加熱温度を２００℃〜４００℃とすることを特徴とする請求項１に記載の無電解銅めっき膜の密着性改善方法。【請求項４】前記電圧の印加及び前記ガラス基板の加熱を窒素ガス雰囲気中で行うことを特徴とする請求項１に記載の無電解銅めっき膜の密着性改善方法。【請求項５】前記無電解銅めっき膜の形成は、めっき浴中にニッケルイオンと酒石酸又はその塩とを含んでいる無電解銅めっき浴中で行うことを特徴とする請求項１に記載の無電解銅めっき膜の密着性改善方法。