MOS_FETはスイッチング素子として使用され、3端子電極が基本でそれぞれG：ゲート、D：ドレイン、S：ソースがあります。ゲートGに電圧を印的简体中文翻译

MOS_FETはスイッチング素子として使用され、3端子電極が基本でそれ

MOS_FETはスイッチング素子として使用され、3端子電極が基本でそれぞれG：ゲート、D：ドレイン、S：ソースがあります。ゲートGに電圧を印加することにより、ドレインDｰソースS間が導通（オン）、非導通（オフ）状態になります。
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MOS_FET用作开关元件，基本上是3端子电极，分别具有G：栅极，D：漏极和S：源极。通过向栅极G施加电压，漏极D和源极S变为导通（导通）和不导通（截止）。
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MOS_FET用作开关元件，3端子电极为基本电极，分别具有G：栅极、D：漏极、S：源极。 通过向栅极 G 施加电压，漏极 D 源 S 之间将处于导通（开）和非导通（关）状态。
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MOS FET被用作开关元件，3端子电极基本上分别有G：门、D：漏极、S：源极。通过对栅极G施加电压，漏极D-源极S之间会变成导通（ON）、非导通（OFF）状态。<br>
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